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星宇芯联 SG805 GPS L1 +BD B1双模双通道射频芯片

品牌:星宇芯联

型号:SG805

名称:GPS L1 +BD B1双模双通道射频芯片

尺寸:5mm x 5mm x 1mm


SG805是我公司基于CMOS工艺研发的一款可以完成GPS L1+BD B1两个频点信号同时接收的双模双通道射频芯片。采用镜像抑制结构,片内集成了低噪声放大器,滤波器,小数分频锁相环和自动增益控制电路。此射频芯片采用40 脚QFN封装





管脚定义(Pin Name Definition)

编号 名字 描述

1 LNA_OUT 第一级LNA输出

2 EN_LNA 第一级LNA使能控制端

3 VCC 电源

4 NC

5 LNA2_IN 第二级LNA输入

6 VCC 电源

7 NC

8 NC

9 EN_B1 B1通道的使能控制端

10 EN_L1 L1通道的使能控制端

11 NC

12 NC

13 VTUNEL1 VCO压控输入

14 VCC 电源

15 OSCIN 晶振输入

16 VCC 电源

17 CS SPI片选

18 SCLK SPI时钟

19 SDATA SPI数据输入输出端口

20 NC

21 L1L1通道数字中频ADC输出

22 L1

23 CLKOUT 时钟输出

24 B1B1通道数字中频ADC输出

25 B1

26 NC

27 IFL1N L1模拟中频输出负端口

28 IFL1P L1模拟中频输出正端口

29 NC

30 NC

31 IFB1N B1模拟中频输出负端口

32 IFB1P B1模拟中频输出正端口

33 NC

34 VCC 电源

35 VTUNEB1 VCO压控输入

36 VCC 电源

37 NC

38 VCC 电源

39 VCC 电源

40 RFIN 射频输入端口

电气指标(Preliminary Electrical Target Specifications

下面为SG805芯片的电性能。表1为绝对最大额定值。表2为芯片推荐工作条件。表3为芯片在北斗导航系统工作条件下的电性能指标。


1 绝对最大额定值

参数 单位

供电电压 +4 V

输入功率 -30 dBm

工作温度 -40 to +85 °C

储存温度 -55 to +150 °C






2 推荐工作条件

参数 最小 正常 最大 单位

供电电压 1.8 3.3 3.6 V

数字接口电平 1.8 3.3 3.6 V

工作温度 -40 +20 +85 °C

3 电性能参数

(测试条件:VCC=3.3VT=20)

参数 条件 最小 典型 最大

射频输入频率(MHz GPS L1频段 1575.42

BD B1频段 1561.098

中频输出频率(MHz L1 4.092

B1 4.092

双通道全开电流(mA) 28

输出1dB压缩功率(dBm) -40

噪声系数(dB) 2

AGC范围(dB 50

镜像抑制比(dB 30

通道增益(dB 105

参考时钟频率(MHz 16.368

相位噪声(dBc/Hz @ 100Hz offset -75

@ 1KHz offset -80

@ 10KHz offset -85

@ 100KHz offset -95

封装信息 (PACKAGING INFORMATION)

 


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